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DDB6U85N16L
RECTIFIER DIODE MODULE 1600V 85A UN-CNTL
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BSS131
(PRICE/TC) N CHANNEL MOSFET, 240V, 110MA, SOT-23; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:110MA; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:240V; ON
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BCV62C
TRANSISTOR, DUAL, PNP, SOT-143; TRANSISTOR POLARITY:PNP; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:30V; TRANSITION FREQUENCY TYP FT:250MHZ; POWER DISSIPATION
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FF450R12KE4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 520A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM100GB60DLC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FS100R17KE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, FS100R17KE3
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FS75R12KT3G
IGBT MODULE, N CHANNEL, 1200V, 100A
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IFF300B12N2E4P_B11
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, MODULE-28
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FZ900R12KE4
IGBT, 1200V, 900A, MODULE, TRENCH FIELD STOP, SINGLE, 4300W, CHASSIS MOUNT
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SPP06N80C3
TRANSISTOR, MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
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SGP15N120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB
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BSP742R
IC, SMART HIGH SIDE PWR SW, SOIC-8, POWER LOAD SWITCH, RESISTANCE:350MOHM
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SPB11N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB
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HYS72V32301GR-7.5-C2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SDRAM MEMORY MODULE, RDIMM, 256 MB SDRAM, POWER SUPPLY VOLTAGE: 4.6V, MAX CLOCK FREQUENCY: 133MHZ, ERROR IDENTIFYING: ECC, 168-PIN
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IPA50R250CP
MOSFET, N, TO-220; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:13A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:550V; ON RESISTANCE RDS(ON) :250MOHM; RDS(
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IKW08T120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT, 1200V, 8A, TO-247
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IGW50N60T
(PRICE/EA) IGBT,600V,50A,TO247; DC COLLECTOR CURRENT:50A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2V; POWER DISSIPATION PD:333W; COLLECTOR EMITTE
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ICE3A2565
IC, MOSFET, INTELLIGENT DRIVER; INPUT VOLTAGE:265V; OUTPUT VOLTAGE:650V; SUPPLY VOLTAGE RANGE:8.5V TO 21V; VOLTAGE REGULATOR CASE STYLE:DIP; NO. OF PI
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BTS141
SMART POWER SWITCH, -40 TO 150 DEG C, POWER LOAD SWITCH TYPE:LOW SIDE, INPUT VOLTAGE:60V, CURRENT LIMIT:35A, ON STATE RESISTANCE:0.025OHM, DISTRIBUTION SWITCH CASE STYLE:TO-220, NO. OF PINS: ...
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BSP318S
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 1 CHANNEL, 60V, 2.6A, 1.8W, 15NS FALL/RISE, 20NS OFF, 12NS ON, SOT-223-4
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SPB17N80C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 17A I(D), 800V, 0.29OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263-3, MARKING CODE: 17N80C3
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ITS711L1
IC, POWER SWITCH, HIGH SIDE, 4 OUTPUT, 5-34V, 4A, 3.6W, 400US ON/OFF, SOIC-20
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BTS117
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 10A, MOS, TO-220, 3 PIN
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IR2233JTRPBF
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, CMOS, PQCC32
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SFH551V
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, FIBER OPTIC RECEIVER, WAVELENGTH TYPE 700 NM, DATA RATE MAX 5 MBPS, SFH
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SAB-C167CR-LM
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MICROCONTROLLER, 16-BIT, MROM, 80166 CPU, 25MHZ, CMOS, PQFP144
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CY7C1019DV33-10VXI
SRAM, 1MBIT, 3V TO 3.6V, SOJ-32; SRAM TYPE:ASYNCHRONOUS SRAM; MEMORY CONFIGURATION:128K X 8BIT; IC CASE / PACKAGE:SOJ; NO. OF PINS:32PINS; SUPPLY VOLTAGE MIN:3V; SUPPLY VOLTAGE MAX:3.6V; SUP ...
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SPA12N50C3
MOSFET, N, 500V, TO-220F; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:11.6A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:500V; ON RESISTANCE RDS(ON) :380M
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BTS711L1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, POWER SWITCH / DRIVER, HIGH SIDE CONFIGURATION, NON-INVERTING, 4 OUTPUTS, 1:1 RATIO, 5V-34V, SOIC-20 7.5 MM WIDTH
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€16,70
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FS50R12W2T4B11
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 83A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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SPW20N60S5
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247
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BSP373
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N CH, 100V, 1.7A, SOT-223
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IPP60R190C6
MOSFET, N CH, 600V, 20.2A, TO220-3, MARKING: 6R190C6
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INFINEON
BSM300GB120DLC_E3256
IGBT MODULES IGBT 1200V 300A
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TT92N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR, 92 AMP, 1600 V
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FP50R12KT4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
TD180N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 285A I(T)RMS, 180A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT
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INFINEON
FP50R06W2E3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 65A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSC100N06LS3G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 60V, 0.01OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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INFINEON
TD162N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR/DIODE MODULE, POWER BLOCK, 34 MM HOUSING, 1600V, 162A
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INFINEON
IR2110PBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, 2.5A, CMOS, DIP-14
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INFINEON
SPD18P06P G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 18.6A I(D), 60V, 0.13OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AB
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