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BRIDGE RECTIFIER DIODE, 208A, 1600V V(RRM)
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DT131N1400/2000KOC
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, DUAL MODULE, 1 SCR 1400V, 1 SCR 2000V, 220A
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DDB6U180N16RRP_B37
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BRIDGE RECTIFIER, 1.6KV, 50A, 3 PHASE, CHASSIS MOUNT, AG-ECONO2-7 PACKAGE
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TT170N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 350A I(T)RMS, 170000MA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 ELEMENT
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BSM100GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR MODULE, IGBT, HALF BRIDGE, 1200V, 150 AMP, DUAL, CHASSIS MOUNT, 30X106.4X61.4MM
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FP75R12KE3
IGBT MODULE, 3-PHASE INVERTER, 1200 V MAX. EMITTER VOLTAGE, 105 AMPS CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT, 355 W POWER DISSIPATION, CHASSIS MOUNT
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BASICPLUSDEMOBOARDTOBO1
DEMO BOARD, SCREW TERMINAL CONNECTION, 3 OUTPUTS, 60 MA, 8-16 VAC, DIMMABLE
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BSM10GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, THREE PHASE FULL BRIDGE, 15 A CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT, 1.2KV COLLECTOR EMITTER VOLTAGE, 80W POWER DISSIPATION, -40/150C OPERATING TEMP, CHASSI ...
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T719N12TOF
THYRISTOR DIODE MODULE 57MM
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BSM75GAL120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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TT250N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 410A I(T)RMS, 250A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 ELEMENT, 115X50 MM
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T1190N12TOF
SCR, PHASE CONTROL THYRISTOR, 1200V, 1190A, TO-200AD HOCKEY PUCK
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TZ425N18KOF
DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULE, 1800 V, 800 A
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FF400R12KE3-S5
IGBT MODULE, 1200V 400AMP RATING, IGBT3 EMITTER-CONTROLLED HIGH-EFFICIENCY DIODE, 3BOLT INPUT CONNECTIONS, 2 2PIN OUTPUT CONNECTIONS
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FP100R12KT4
IGBT MODULE, 1200V, 100A, 3-PHASE, ECONO 3
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FS15R12YT3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FF150R12KE3_B8
IGBT MODULE, 1200 V, 150 AMP
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TD-162-N-16-KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR/DIODE MODULE, POWER BLOCK, 34 MM HOUSING, 1600V, 162A
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FP50R12KE3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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TD162N16KOF-A
POWER BLOCK, THYRISTOR/DIODE, 34MM, 162AMP, 1600V
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EUPEC
T-719-N-12-TOF-51-6J2
THYRISTOR MODULE, DIODE
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EUPEC
BSM300GA120DN2SE3256
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT TRANSISTOR, 1200 V, 300 AMP, SINGLE, 1.4"(H) X 4.15"(W) X 2.45"(D)
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T218N10TOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR ASSEMBLY, PUCK MOUNT, 1000 V, 200 AMP
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FP20R06KL4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM15GD120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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TT131N12KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 220A I(T)RMS, 131A I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 ELEMENT
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FS75R12KE3G
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FP10R12W1T4B11BOMA1
IGBT MOD, 1.2KV, 10A, 105W; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:10A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V; POWER DISSIPATION:105W; OPERATING TEMPERATURE MAX:175°C; IGBT TERMINATION:PRESS FIT; ...
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DD-105-N-12-L-16K9
DIODE-THYRISTOR POWER BLOCK
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FS100R12KT3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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IRAMY20UP60B
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER HYBRID, 25, 20 V, 600 V, 20 AMP, 495 UJ, 4.5 W, 150 C, 165 UA, 200 UA, ZFM-18
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IFS100B12N3E4_B31
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FF300R12KE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 300 AMP, 1200 V, DUAL, CHASSIS MOUNT
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 120A I(T)RMS, 60000MA I(T), 1600V, 2 ELEMENT
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SCR MODULES PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE
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BSM75GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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DIODE, POWER BLOCK, 20MM, 1600V, 89A
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BSM200GA120DN2FS
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 200A
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POWER BLOCK MODULE, SINGLE THYRISTOR, 500 AMP, 1600 V, 50 MM HOUSING
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BSM15GD120DN2E3224
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM200GA120DN2
IGBT MODULES, SINGLE CONFIGURATION, 300 AMP, 1200 V, 2.5 V, 1550 W, CHASSIS MOUNT
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BSM10GP60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM35GD120DN2
IGBT MODULE, NPT TYPE, THREE PHASE INVERTER, 1200 V, 50 A, 280 W, CHASSIS MOUNT
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TT251N16KOF
THYRISTOR POWER BLOCK 250AMP 1600V 50MM
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FS75R17KE3
IGBT, MODULE, N-CH, 1.7KV, 130A, CHASSIS MOUNT
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TD180N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 285A I(T)RMS, 180A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT
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BSM400GA120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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BSM100GAL120DLCK
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