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BSP772T
IC, SMART SWITCH, PWR HIGH SIDE MINI-PROFET, N-CHANNEL, INPUT 5-34V, CURRENT OUTPUT 2.6A, SOIC-8, WIDTH 3.9 MM
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FS30R06VE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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FS15R06XL4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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IPW60R045CP
MOSFET, N CHANNEL, TO-247, TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:60A, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V, ON RES
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IPP60R099CP
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 31A, TO-220; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:31A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON RES
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BTS50055-1TMA
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, POWER SWITCH, HIGH SIDE, 34V, 70A, 170W, 80US ON, 30US OFF, TO-220-7
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BTS432E2E3062A
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 1 DRIVER, 44A, MOS, GREEN, PLASTIC, TO-220AB, 5 PIN
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FS150R12KT4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, ECONOPACK 3
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BSM150GAR120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT TRANSISTOR, 1200 V, 150 A, CHASSIS-MOUNT, SINGLE CONFIGURATION
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BTS611L1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 7.5A, MOS, TO-220-7
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BTS824R
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 4 DRIVER, 19A, MOS, SO-20
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TLE4270G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 5V, 0.7V DROPOUT, BIPOLAR, TO-263, D2PAK-5
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FP35R12W2T4
IGBT MODULE; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; DC COLLECTOR CURRENT:35A; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV; POWER DISSIPATION PD:215W; COLLECTOR EMITT
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FS30R06W1E3
IGBT MODULE; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; DC COLLECTOR CURRENT:30A; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V; POWER DISSIPATION PD:150W; COLLECTOR EMITTE
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FS35R12W1T4
IGBT MODULE, N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT: 35A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES: 1.2KV, POWER DISSIPATION PD: 225W, ROHS COMPLIANT: YES
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SPW20N60C3
TRANSISTOR, N CHANNEL, MOSFET, 20.7 AMP, TO-247, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS: 650 VAC, ROHS COMPLIANT: YES
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IPA60R125CP
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 25A, TO-220FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:25A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON R
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IKW40T120
(PRICE/EA) IGBT, N, 1200V, 40A, TO-247; DC COLLECTOR CURRENT:75A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):2.3V; POWER DISSIPATION PD:270W; COLLEC
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IKB03N120H2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, IGBT, 1200V, COLLECTOR CURRENT 3A, VCES 2.8V, 62.5W, D2PAK-3
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INFINEON
IGW15T120
IGBT NPT, TRENCH FIELD STOP, 1200V, 30A, 110W, TO247
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IGA03N120H2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 3A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB-3 FP, MARKING: G03H1202
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INFINEON
BSC123N10LS G
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 71A, PG-TSDSON-8
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2ED020I12-FI
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER, 2A, SOP-18
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SPW16N50C3
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 560V, 16A, TO-247-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:16A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:560V; ON R
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SPD02N60S5
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.8A I(D), 600V, 3OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252-3
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SPA15N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 15A, 600V, 0.28OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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SPA11N80C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 800V, 0.45OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB FULLY ISOLATED, 11N80C3 MARKING
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IPW60R075CP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 39A, 600V, 0.075OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247
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IPP60R299CP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A, 600V, 0.299OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IPP60R250CP
MOSFET, N, TO-220; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:12A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON RESISTANCE RDS(ON) :250MOHM; RDS(
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IPP50R350CP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N CHANNEL, 10A, 500V, TO-220, 5R350P MARKING
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INFINEON
IPD075N03LG
MOSFET, N CH, 30V, 50A, TO-252; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:50A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RESISTANCE RDS(ON):0.
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IKP20N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB
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SPA17N80C3
TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 800V, 17A, TO-220-3
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SPA04N80C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, TO-220-3, TRANSISTOR POLARITY: N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID: 4 AMP, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS: 800 VAC, MOUNTING STYLE: THROUGH HOLE
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€4,50
INFINEON
ITS4142N
IC, POWER SWITCH, N-CHANNEL, HIGH SIDE TYPE, NON-INVERTING, 1:1 RATIO, 45V, 1.4A, SOT-223-4
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INFINEON
IPW60R070C6
FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR, 53 AMP, 600 V, 391 W, 63 MOHMS, FALL TIME: 5 NS, RISE TIME: 12 NS, 1 CHANNEL, N CHANNEL, TO-247-3, THROUGH HOLE
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€14,07
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INFINEON
IPP075N15N3G
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 150V, 100A, TO-220-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:100A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:150V; ON
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IPD33CN10NG
MOSFET, N CH, 27A, 100V, PG-TO252-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:27A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:100V; ON RESISTANCE RDS(
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INFINEON
SPA11N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220PF
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SPA04N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.5A I(D), 600V, 0.95OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IPD135N03LG
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, TO-252; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:30A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:30V; ON RESIS
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€0,23
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INFINEON
IKW25T120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-247AC, K25T120
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INFINEON
TLE6228GP
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 4 DRIVER, 7.5A, MOS, SOP-20
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INFINEON
TDA4862GGEG
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, PFC, DISCONTINUOUS CONDUCTION (DCM), PG-DSO-8, SUPPLY VOLTAGE: 11V ~ 19V, OPERATING TEMPERATURE: -40C ~ 150C, ROHS3 COMPLIANT
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INFINEON
CY2308SXC-1
PLL BASED CLOCK DRIVER, 2308 SERIES, 8 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), CMOS, SOIC-16
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INFINEON
FP06R12W1T4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, PIM CONFIGURATION, IGBT4-T4 TECHNOLOGY, 1200V, 6A, EASYPIM 1B HOUSING, 48X33.8 MM
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€36,60
