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CYPRESS SEMI
STK12C68-SF25TR
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, NON VOLATILE SRAM, 8KX8, 25NS, CMOS, SOIC28
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SPW52N50C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, (PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 560V, 52A, TO-247-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:52A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:560V; ON R
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SPW47N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 47A I(D), 600V, 0.07OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247AC
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SPW35N60C3
MOSFET, N-CHANNEL, 650V, 34.6A, TO-247
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SPW20N60S5
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247
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SPW20N60CFD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 650V, 20.7A, TO-247-3
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INFINEON
SPW20N60C3
TRANSISTOR, N CHANNEL, MOSFET, 20.7 AMP, TO-247, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS: 650 VAC, ROHS COMPLIANT: YES
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SPW16N50C3
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 560V, 16A, TO-247-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:16A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:560V; ON R
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SPW11N80C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 800V, 0.45OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247, 11N80C3 MARKING
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SPU04N60C3
MOSFET, N, 600V, I-PAK; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:4.5A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON RESISTANCE RDS(ON) :950MOHM
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€3,03
INFINEON
SPU02N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CH, 600V, 1.8A, TO-251, MARKING 02N60C3
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SPP80N03S2L-05
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 30V 80A (TC) 167W (TC), THROUGH HOLE PG-TO220-3-1
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SPP47N10
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 100V, 47 AMP, 33MOHMS, 175W, THROUGH HOLE, 15.65MM X 10MM
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SPP20N60S5
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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SPP20N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20.7A I(D), 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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SPP18P06PH
P CH MOSFET, 60V, 18.6A, TO220 TRANSISTOR POLARITYP CHANNEL CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID18.6A DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS60V ON RESISTANCE RDS(ON)130MOHM
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SPP11N80C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 800V, 0.45OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB, 11N80C3 MARKING
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INFINEON
SPP11N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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INFINEON
SPP07N60S5
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 600V, 7.3A, TO-220-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:7.3A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:600V; ON
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SPP06N80C3
TRANSISTOR, MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
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SPP06N60C3
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 6.2A, TO-220-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:6.2A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON
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INFINEON
SPP02N60C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CH, 600V, 1.8A, TO-220-3
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SPI20N60C3
TRANSISTOR, POWER FIELD-EFFECT, 20.7 AMP, 600 V, 0.19 OHM, 1 ELEMENT, N-CHANNEL, TO-262-3
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SPD18P06P G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 18.6A I(D), 60V, 0.13OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AB
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SPD06N80C3
(PRICE/TC) MOSFET, N CHANNEL, 800V, 6A, TO-252; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:6A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:800V; ON RESIS
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SPD06N60C3
(PRICE/TC) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 6.2A, TO-252-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:6.2A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON
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SPD02N60S5
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1.8A I(D), 600V, 3OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252-3
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SPB80P06PG
(PRICE/TC) MOSFET, P CHANNEL, 60V, 80A, TO-263; TRANSISTOR POLARITY:P CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:-80A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:-60V; ON RES
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SPB20N60C3
(PRICE/TC) N CHANNEL MOSFET, 650V, 20.7A, P-TO-263; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:20.7A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; O
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SPB17N80C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 17A I(D), 800V, 0.29OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263-3, MARKING CODE: 17N80C3
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SPB11N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB
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SPA21N50C3
TRANSISTOR 21AMP 500V .19OHM N-CHANNEL 3PIN
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SPA20N60CFD
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20.7A I(D), 600V, 0.22OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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SPA20N60C3
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 20.7A, TO-220FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:20.7A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V;
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SPA17N80C3
TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 800V, 17A, TO-220-3
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SPA15N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 15A, 600V, 0.28OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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SPA12N50C3
MOSFET, N, 500V, TO-220F; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:11.6A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:500V; ON RESISTANCE RDS(ON) :380M
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SPA11N80C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 800V, 0.45OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB FULLY ISOLATED, 11N80C3 MARKING
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INFINEON
SPA11N60C3XKSA1
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 11A, TO-220FP
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SPA11N60C3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.38OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220PF
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SPA07N60C3
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 7.3A, TO-220FP-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:7.3A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V;
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SPA06N80C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N CHANNEL, 800V, 6A, TO-220FP
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SPA04N80C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, TO-220-3, TRANSISTOR POLARITY: N CHANNEL, CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID: 4 AMP, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS: 800 VAC, MOUNTING STYLE: THROUGH HOLE
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