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BSM100GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR MODULE, IGBT, HALF BRIDGE, 1200V, 150 AMP, DUAL, CHASSIS MOUNT, 30X106.4X61.4MM
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 420A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 800AMP, 1200V, SINGLE
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TTB6C110N12KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 90A I(T)RMS, 110A I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 6 ELEMENT
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TD285N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 450A I(T)RMS, 285A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT, MODULE 5
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER BLOCK, TT500N SERIES, THYRISTOR, 500 AMP, 1600V
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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IGBT MODULE, 1200V, 150A, DUAL
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT POWER MODULE, 50 AMPS, 1200 VDC
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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IGBT MODULE, TRENCHSTOP IGBT3 - E3, 1.7KV, 390 AMP, MOUNTING STYLE: CHASSIS MOUNT
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 150A, 1200V
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR ASSEMBLY, PUCK MOUNT, 1000 V, 200 AMP
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THYRISTOR MODULE POWERBLOCK
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INTEGRATED POWER HYBRID IC, FOR APPLIANCE MOTOR DRIVE APPLICATIONS, 10 AMP, 600 V
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 260A I(T)RMS, 162000MA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 ELEMENT
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FF300R12KE3
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TT61N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 120A I(T)RMS, 60000MA I(T), 1600V, 2 ELEMENT
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FZ1200R33KF1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER TRANSISTOR, INSULATED GATE, BIPOLAR, 1200 AMP MAX, 3300 V MAX
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BSM10GP60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 160A I(T)RMS, 104000MA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 ELEMENT
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 285A I(T)RMS, 180A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT
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