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NTE1V130
METAL OXIDE VARISTOR, 180V, 355V, 8.5MM DISC; VOLTAGE RATING VAC:135V; VOLTAGE RATING VDC:180V; PRODUCT RANGE:NTE1V SERIES; CLAMPING VOLTAGE VC MAX:355V; VARISTOR CASE STYLE:DISC 8.5MM; PEAK ...
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NTE2013
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-ELEMENT, NPN, SILICON, PLASTIC/EPOXY, DIP-16
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NTE2019
IC, INTEGRATED CIRCUIT, 8 CHANNEL, DARLINGTON ARRAY, CMOS, 18-DIP
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NTE2050
IC, ADC, 3.5BIT, DIP-40; RESOLUTION (BITS) :3.5BIT; INPUT CHANNEL TYPE:DIFFERENTIAL; DATA INTERFACE:PARALLEL; SUPPLY VOLTAGE RANGE - ANALOG:5V; SUPPLY
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NTE2055
DIGIT A/D CONVERTER, CMOS, CASE: DIP-24, DC SUPPLY VOLTAGE: -0.5 TO 18 V, DC INPUT CURRENT PER PIN: 10 MA, OPERATING TEMPERATURE: -40 TO 85 °C
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NTE2079
IC,PERIPHERAL DRIVER,7 DRIVER,BIPOLAR,DIP,16PIN,PLASTIC
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NTE2087
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, 4-STAGE, OUTPUT VOLTAGE: 80V, OUTPUT CURRENT: 1.75 A, INPUT VOLTAGE: 15 V, INPUT CURRENT: 25 MA, SUPPLY VOLTAGE: 10 V, OPERATING TEMPERATURE: -20 TO 85 °C
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NTE210
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 75V; TRANSISTOR POLARITY:NPN; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:75V; TRANSITION FREQUENCY TYP FT:375MHZ; POWER DISSIPATION P
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NTE2102
IC, SRAM, 1KBIT, SERIAL, 350NS, 16-DIP; MEMORY SIZE:1KBIT; MEMORY CONFIGURATION:1K X 1; ACCESS TIME:350NS; SUPPLY VOLTAGE RANGE:4.75V TO 5.25V; MEMORY
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NTE2104
IC, DRAM, 4KBIT, DIP-16; MEMORY TYPE:DRAM - NMOS; MEMORY CONFIGURATION:4K X 1; ACCESS TIME:200NS; PAGE SIZE:4KBIT; MEMORY CASE STYLE:DIP; NO. OF PINS:
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NTE2107
IC, DRAM, 4KBIT, DIP-16; MEMORY TYPE:DRAM - NMOS; MEMORY CONFIGURATION:4K X 1; ACCESS TIME:200NS; PAGE SIZE:4KBIT; MEMORY CASE STYLE:DIP
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NTE218
AUDIO POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-66; TRANSISTOR POLARITY:PNP; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:-80V; TRANSITION FREQUENCY FT:3MHZ; POWER DISSIPATION PD:25W; DC COLLECTOR CURRENT:-4A; ...
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NTE219
POWER TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-3; TRANSISTOR POLARITY:PNP; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:60V; DC COLLECTOR CURRENT:15A; POWER DISSIPATION PD:115W; TRANSISTOR MOUNTING:THROUGH HOLE; NO. ...
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NTE224
RF TRANSISTOR, NPN, 60 V, 2A, 300MHZ,10 W, THROUGH HOLE TO 39 W/FLANGE
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NTE225
TRANSISTOR, SILICON NPN, LINEAR AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCH, 350V V(BR)CEO, 1A I(C), 500MA,10W, TO-39 VAR
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NTE226
TRANSISTOR,BJT,PNP,35V V(BR)CEO,2A I(C),TO-3VAR
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NTE229
BIPOLAR TRANSISTOR, 30 V, TRANSISTOR POLARITY: NPN, TRANSITION FREQUENCY FT: 500 MHZ, POWER DISSIPATION PD: 425 MW, DC COLLECTOR CURRENT: 50 MA, 3 PINS
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NTE2300
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-218, PLASTIC/EPOXY, 3 PIN
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NTE2302
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V; TRANSISTOR POLARITY:NPN; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:800V; TRANSITION FREQUENCY FT:3MHZ; POWER DISSIPATION PD:120W; DC COLLECTOR CURRENT:5A; DC CURRENT ...
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NTE2306
TRANSISTOR,BJT,PNP,160V V(BR)CEO,16A I(C),TO-218 ;ROHS COMPLIANT: YES
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NTE2308
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 500V, 12A, TO-3P-3, TRANSISTOR POLARITY NPN, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO 500V, TRANSITION FREQUENCY FT 20MHZ, POWER DISSIPATION PD 2.5W, DC COLLECTOR CURRENT ...
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NTE2309
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V; TRANSISTOR POLARITY:NPN; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:800V; TRANSITION FREQUENCY FT:15MHZ; POWER DISSIPATION PD:2.5W; DC COLLECTOR CURRENT:12A; DC CURREN ...
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NTE2310
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-218; TRANSISTOR POLARITY:NPN; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:450V; TRANSITION FREQUENCY FT:-; POWER DISSIPATION PD:125W; DC COLLECTOR CURRENT:8A; DC CUR ...
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NTE2311
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NTE2312
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NTE2317
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 450V, 15A, TO-218-3; TRANSISTOR POLARITY:NPN; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:450V; DC COLLECTOR CURRENT:15A; POWER DISSIPATION PD:105W; TRANSISTOR MOUNTING:THRO ...
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NTE2318
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NTE2319
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BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V; TRANSISTOR POLARITY:PNP; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:30V; TRANSITION FREQUENCY FT:125MHZ; POWER DISSIPATION PD:625MW; DC COLLECTOR CURRENT:300MA; DC CUR ...
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NTE2337
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NTE2339
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NTE2343
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