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IGBT POWER MODULE, POWER BLOCK, RELIANCE / NBR/ POWER CUBE
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER,POWER BLOCK, THYRISTOR MODULE, TT 92N
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DIODE, LOW LEAKAGE, SOT-23; DIODE TYPE:SMALL SIGNAL; FORWARD CURRENT IF(AV):250MA; REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:75V; FORWARD VOLTAGE VF MAX:1.2
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE, 1 PHASE, 1 ELEMENT, 0.2A, 250V V(RRM), SILICON, SOT-23
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RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHASE, 2 ELEMENT, 0.07A, 70V V(RRM), SILICON, SOT-23
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(PRICE/TC) BIPOLAR TRANSISTOR; TRANSISTOR POLARITY:NPN; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:30V; POWER DISSIPATION PD:300MW; DC COLLECTOR CURRENT:100MA
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TRANSISTOR, DUAL, PNP, SOT-143; TRANSISTOR POLARITY:PNP; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:30V; TRANSITION FREQUENCY TYP FT:250MHZ; POWER DISSIPATION
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BIPOLAR BJT TRANSISTOR, PNP, SINGLE, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX: 32V, COLLECTOR BASE VOLTAGE: 45V, EMITTER BASE VOLTAGE: 5V, MAX DC COLLECTOR CURRENT: 800MA, ...
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 60V, 0.01OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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MOSFET, N CHANNEL, 1 CHANNEL, 30V, 39A, 10M OHM, TDSON-8-5, MARKING CODE 120N03LS
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 55A I(D), 80V, 0.0123OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TDSON-8
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MOSFET, N CHANNEL, 100V, 71A, PG-TSDSON-8
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200 VAC, 100 AMP, DUAL, CONFIGURATION: HALF BRIDGE, MOUNTING STYLE: SCREW MOUNT
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BSM100GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR MODULE, IGBT, HALF BRIDGE, 1200V, 150 AMP, DUAL, CHASSIS MOUNT, 30X106.4X61.4MM
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