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EUPEC
N718602-30F8
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR
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EUPEC
BSM300GA120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 430 AMP (25 DEG C), 300 AMP (80 DEG C), 1200 V
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EUPEC
FS300R12KE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 500A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
TT250N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 410A I(T)RMS, 250A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 ELEMENT, 115X50 MM
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EUPEC
104X125DC045
POWER BLOCK
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EUPEC
DP10H1200TO101901
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 10A, 1200V
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INFINEON
EUPEC
BSM150GT120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE BLOCK, 200A, 1200V
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INFINEON
EUPEC
TT162N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 260A I(T)RMS, 162A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 ELEMENT
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EUPEC
BSM10GP120
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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EUPEC
FZ1200R16KF4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR POWER MODULE, IGBT, 1200 AMP, 1600 VAC,POWER DISSIPATION: 7.8 KW
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INFINEON
EUPEC
TT162N14KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 260A I(T)RMS, 162000MA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 ELEMENT
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INFINEON
EUPEC
117404-TT250N
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SCR MODULE, 250A, 2000V, DUAL
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EUPEC
FS450R12KE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULES, 1200V, 450A, 3 PHASE, ECONOPACK+
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INFINEON
EUPEC
BSM100GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR MODULE, IGBT, HALF BRIDGE, 1200V, 150 AMP, DUAL, CHASSIS MOUNT, 30X106.4X61.4MM
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INFINEON
EUPEC
T1189N18TOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR DISC, PHASE CONTROL, 2800 AMP, 1200-1800 VOLT
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INFINEON
EUPEC
FS50R12KE3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 50 AMP, 1.65-1.7 V, ECONOPACK HOUSING
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INFINEON
EUPEC
BSM150GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
BSM200GB120DN2
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 290A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
EUPEC
FZ1800R12KF4
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1800AMP CONTINUOUS CURRENT, 400NA, 5KW
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INFINEON
BTS442E2E3062ABUMA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC, POWER LOAD SWITCH, HIGH SIDE, SUPPLY 6V, CURRENT 95A, RDS 15MOHM, TO-263-5, 5PINS
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INFINEON
BSM10GD120DN2BOSA1
IGBT MODULE, THREE PHASE FULL BRIDGE, 15 A, 3.2 V, 80 W, 125*C, ECONOPACK
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INFINEON
IDW10G65C5XKSA1
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE, 10 AMP, 650 V, 65 W, 500 NA, 15 NC, TO-247, SINGLE, THINQ, THROUGH HOLE
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IGW08T120FKSA1
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 16A, TO-247; DC COLLECTOR CURRENT:16A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE VCE(ON):1.7V; POWER DISSIPATION PD:70W; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE V(BR)CEO:1.2KV; TRANSISTOR ...
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IPA65R150CFDXKSA1
MOSFET, N-CH, 650V, 22.4A, TO-220FP-3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:22.4A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON RESISTANCE RDS(ON):0.135OHM; RDS(ON) TEST VOLTAGE V ...
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SPA02N80C3
MOSFET, 800 VAC, 2 AMP, TO-220, 2.7 OHMS, TRANSISTOR POLARITY: N CHANNEL, THROUGH HOLE
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INFINEON
IPD088N06N3 G
TRANSISTOR, POWER MOSFET, N CHANNEL, 60 V, 50 A, TO-252-3
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BTS611L1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 7.5A, MOS, TO-220-7
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INFINEON
IPB107N20N3GATMA1
(PRICE/TC) MOSFET, N-CH, 200V, 88A, TO-263- 3; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:200V; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:88A; ON RESISTANCE RDS(ON):0.0096OHM; TRANSISTOR MOUN ...
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INFINEON
TT215N22KOF
POWERBLOCK, 50MM, THYRISTOR MODULE, W/ HIGH RELIABLE PRESSURE, ISOLATED COPPER BASE PLATE, MOUNTING STYLE: SCREW MOUNTS
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INFINEON
IRF510
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, MOSFET, N-CH, 100V 5.6A TO-220AB
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FS15R12YT3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
BAS116
DIODE, LOW LEAKAGE, SOT-23; DIODE TYPE:SMALL SIGNAL; FORWARD CURRENT IF(AV):250MA; REPETITIVE REVERSE VOLTAGE VRRM MAX:75V; FORWARD VOLTAGE VF MAX:1.2
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INFINEON
SPP80N03S2L-05
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 30V 80A (TC) 167W (TC), THROUGH HOLE PG-TO220-3-1
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CY62148EV30LL-55SXI
SRAM, 4MBIT, 2.2V TO 3.6V, SOIC-32; SRAM TYPE:ASYNCHRONOUS SRAM; MEMORY CONFIGURATION:512K X 8BIT; IC CASE / PACKAGE:SOIC; NO. OF PINS:32PINS; SUPPLY VOLTAGE MIN:2.2V; SUPPLY VOLTAGE MAX:3.6 ...
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INFINEON
BTS740S2
IC, BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, 2 DRIVER, 8.5A, CMOS, SOP-20
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FD150R12RT4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
FP35R12W2T4
IGBT MODULE; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; DC COLLECTOR CURRENT:35A; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:1.2KV; POWER DISSIPATION PD:215W; COLLECTOR EMITT
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FS30R06W1E3
IGBT MODULE; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; DC COLLECTOR CURRENT:30A; COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES:600V; POWER DISSIPATION PD:150W; COLLECTOR EMITTE
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FS35R12W1T4
IGBT MODULE, N CHANNEL, DC COLLECTOR CURRENT: 35A, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VCES: 1.2KV, POWER DISSIPATION PD: 225W, ROHS COMPLIANT: YES
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SPW20N60C3
TRANSISTOR, N CHANNEL, MOSFET, 20.7 AMP, TO-247, DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS: 650 VAC, ROHS COMPLIANT: YES
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BSP125
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 600V, 120MA, -55 TO 150 DEG. C, SOT-223
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BSS138N
N CHANNEL MOSFET, 60V, 230MA SOT-23; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:230MA; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:60V; ON RESISTANCE RDS
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FP15R12W1T4
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 28A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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TD285N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 450A I(T)RMS, 285A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 ELEMENT, MODULE 5
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INFINEON
FP10R12W1T4B3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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INFINEON
FS200R12PT4
IGBT MODULE, 1200V, 200 AMP, ECONOPACK4, EMITTER CONTROLLED, TRENCH / FIELDSTOP
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SPP20N60S5
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 20A I(D), 600V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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INFINEON
TT61N16KOF
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 120A I(T)RMS, 60000MA I(T), 1600V, 2 ELEMENT
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IPA60R125CP
(PRICE/EA) MOSFET, N CHANNEL, 650V, 25A, TO-220FP; TRANSISTOR POLARITY:N CHANNEL; CONTINUOUS DRAIN CURRENT ID:25A; DRAIN SOURCE VOLTAGE VDS:650V; ON R
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