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ITS4200S-ME-P
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER, SOT-223-4
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IPW90R800C3
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, TO-247-3, N-CHANNEL
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TLE4276DV50
FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 10V, 0.5V DROPOUT, BIPOLAR, TO-252 5 PIN
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FF450R12ME4B11BPSA2
IGBT, 1.2KV, 675A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:675A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.75V; POWER DISSIPATION:2.25KW; OPERATING TEMPERATURE MAX:150°C; IGBT TERMINATION:PRESS FI ...
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FP25R12KT3BPSA1
IGBT, 1.2KV, 40A, MODULE; CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:40A; COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.7V; POWER DISSIPATION:155W; OPERATING TEMPERATURE MAX:125°C; IGBT TERMINATION:PRESS FIT; CO ...
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FP50R12KT4B11BPSA1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL, AG-ECONO2B
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SKW15N60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 600V, 31A, NPT, IGBT TRANSISTOR, SINGLE, TO-247-3
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IRFB4229
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 250V, 46A, N CHANNEL, POWER MOSFET, SINGLE, TO-220
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FF450R17ME4
IGBT MODULE, DUAL, 1700 V, 450 A
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SGP02N60
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR, 2AMP, 600V
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ICE2QR4765
AC/DC CONVERTER, AEC-Q100, PWM CONTROLLER
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TLE4264GHTMA1
LDO, FIXED, 5V, 0.1A, SOT-223-4; OUTPUT TYPE:FIXED; INPUT VOLTAGE MIN:5.5V; INPUT VOLTAGE MAX:45V; NO. OF OUTPUTS:1OUTPUTS; OUTPUT VOLTAGE - NOM:5V; OUTPUT VOLTAGE MIN:-; OUTPUT VOLTAGE MAX: ...
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TT285N14KOF
THYRISTOR, 1400V, 450A, SCREW MOUNT
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D1050N16T
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE DISC, 1600V, 18500.0AMP, CERAMIC
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STK15C88-NF45
NVSRAM (NON-VOLATILE SRAM), MEMORY IC, 256KBIT, PARALLEL, 45 NS, 28-SOIC, SURFACE MOUNT, W 7.62MM, L 18.11 MM, H 2.37 MM.
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IPB09N03LA
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 50A I(D), 25V, 0.0151OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB D2-PAK
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IRFB3206GPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 120A I(D), 60V, 0.003OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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IPB50R140CP
IC, MOSFET, COOLMOS CE SERIES, SMD/SMT, TO-263-3, N-CHANNEL, 1 CHANNEL, 23 AMP, 500 VAC
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DDB6U104N16RRBPSA1
DIODE MODULE, 1.6KV, 25A, MODULE; REPETITIVE PEAK REVERSE VOLTAGE:1.6KV; AVERAGE FORWARD CURRENT:25A; FORWARD VOLTAGE MAX:-; DIODE MODULE CONFIGURATION:BRIDGE; DIODE CASE STYLE:MODULE; NO. O ...
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K15EF5
K15EF5 TO-220
650V DUOPACK IGBT AND DIODE HIGH SPEED SWITCHING
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IPB530N15N3G
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 21A I(D), 150V, 0.053OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB, 530N15N MARKING
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BSM25GD120DN2BOSA1
IDBT MODULE, THREE PHASE FULL BRIDGE, 35A, 3V, 200W
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T1500N14T0F
PHASE CONTROLTHYRISTOR, 1800V, 1500A
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TD60N16SOFG1710
THYRISTOR MODULE, PHASE CONTROL, 20MM BASE PLATE, 1600V DRM/RRM, 55A TAVM, 1500A TSM, 4.8 MOHM, 0.47 K/W
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FZ800R12KF5
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSITOR, SINGLE, 800A, 1200V
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TD250N16/25KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR POWERBLOCK, SCR DIODE, 1600 / 2500 V, 250 A
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TT121N16KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR, 1600V, 200A
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IKA15N60T
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 14.7A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-220AB
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AUIRG4BC30SSTRL1
INFINEON AUIRG4BC30SSTRL SINGLE IGBT, 34 A 600 V D2PAK
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FP35R12KT4B11BPSA1
IGBT MODULE, CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT:35A, COLLECTOR EMITTER SATURATION VOLTAGE:1.85V, POWER DISSIPATION:210W, IGBT TERMINATION:PRESS FIT, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE MAX:1.2KV, ROHS COMPL ...
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FP25R12KE3BPSA1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-CHANNEL
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IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 PINS
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IGD01N120H2
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I(C), 1200V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-252-3, PLASTIC/EPOXY, 2 PIN
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FP25R12KT4B15BOSA1
IGBT MODULE, 1200V, 25A, TRENCH FIELD STOP, THREE PHASE INVERTER, 160W, CHASSIS MOUNT
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IGBT MODULES, 1700V, 600A SINGLE SWITCH
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FP25R12KS4CBOSA1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULES, 1200V, 40A, 230W, CHASSIC MOUNT
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SFH611A-1
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, 1-ELEMENT, 5300V ISOLATION, 40-80 CTR, DIP-4
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HYB39S64160BT-8
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, 125MHZ 4B 1M X16 SDRAM PACKAGE P-TSOP-54-2 (400MIL)
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DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1400V, 104A, SCREW MOUNT
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TRANSISTOR, MOSFET, MOUNTING STYLE: SMD/SMT, PACKAGE / CASE: D2PAK-3 (TO-263-3), N-CHANNEL, 650 V, 22 A
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T1989N14TOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, THYRISTOR, 2.68 AMP, 250-300 MA, 40 KA, 1.4 KV, PRESS FIT MOUNT
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TD162N16KOF-A
POWER BLOCK, THYRISTOR/DIODE, 34MM, 162AMP, 1600V
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TD122N24KOF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, RECTIFIER DIODE MODULE, 220 AMP OUTPUT CURRENT, 2400V REVERSE VOLTAGE, SMD/SMT MOUNTING STYLE
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SAF-XE162FN-40F80L
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IC CHIP, 64LQFP, 16BIT
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IRG8P25N120KD-EPBF
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT, 1200V, 40A, 180W, THROUGH HOLE, TO-247AD
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BSM10GP120B9
DISCONTINUED BY MANUFACTURER, IGBT MODULE, 1200V, 10A, 100W, -40 TO 125 DEG. C, SCREW MOUNT, ECONOPIM2
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